申请日 2020.09.01
公开（公告）日 2020.12.01
IPC分类号 C02F9/14; C02F103/16; C02F101/20; C02F101/16; C02F101/38
摘要
本发明提供了一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统及方法，涉及水处理技术领域。该电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统包括顺次放置的物化反应装置、排放缓冲池、一级破络混凝沉淀装置、一级AO生化反应装置、二级AO生化反应装置、二级破络混凝沉淀装置和三级除氟混凝沉淀装置，以缓解现有技术中水处理不当的技术问题。
权利要求书
1.一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统，其特征在于，包括顺次放置的物化反应装置、排放缓冲池、一级破络混凝沉淀装置、一级AO生化反应装置、二级AO生化反应装置、二级破络混凝沉淀装置和三级除氟混凝沉淀装置；
所述一级破络混凝沉淀装置包括顺次放置的pH初调池、一级破络池、pH粗调池、pH细调池和一级混凝沉淀池；
所述一级AO生化反应装置包括顺次放置的pH回调池、水解酸化池、初沉池、一级缺氧池和一级MBBR反应池；
所述二级AO生化反应装置包括顺次放置的二级缺氧池、二级MBBR反应池、生化沉淀池、中间池和pH中调池；
所述二级破络混凝沉淀装置包括顺次放置的二级破络池、pH粗调池、pH细调池和二级混凝沉淀池；
所述三级除氟混凝沉淀装置包括顺次放置的pH终调池和三级混凝沉淀池；还包括气水反冲滤池；
所述气水反冲滤池位于所述三级混凝沉淀池的下一工序。
2.一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，应用如权利要求1所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统,其特征在于，包括如下步骤：
步骤一:经过物化反应装置的废水汇合后形成综合废水，并进入排放缓冲池；
步骤二:废水依次经过一级破络混凝沉淀装置、一级AO生化反应装置、二级AO生化反应装置、二级破络混凝沉淀装置和三级除氟混凝沉淀装置；
步骤三：废水经过所述气水反冲滤池过滤后达标排放。
3.根据权利要求2所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，步骤一中，所述排放缓冲池用于贮存废水。
4.根据权利要求2所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，步骤二的所述一级破络混凝沉淀装置中，包括如下步骤：
废水经过所述pH初调池调节至pH3；
废水经过所述一级破络池，将络合态的重金属游离出来，同时将次、亚磷酸盐氧化成正磷酸盐，
在pH粗调池中加入石灰调节废水至pH6，在pH细调池中加入氢氧化钠调节废水至pH10.5；
在一级混凝沉淀池中重金属镍和磷在pH10.5的废水中沉淀。
5.根据权利要求4所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，所述一级破络池中加入芬顿试剂，所述pH粗调池中加入石灰，所述pH细调池中加入氢氧化钠。
6.根据权利要求2所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，步骤二中的所述一级AO生化反应装置，包括如下步骤：
废水经过所述pH回调池调节至pH8；
废水经过所述水解酸化池进行水解和酸化；
废水经过所述初沉池，沉淀水中微生物体和尚未除净的物化污泥；
废水经过所述一级缺氧池和一级MBBR反应池。
7.根据权利要求2所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，步骤二的所述二级AO生化反应装置，包括如下步骤：
废水经过所述二级缺氧池和二级MBBR反应池；
废水进入所述生化沉淀池，沉淀水中微生物体，进行泥水分离；
废水进入所述中间池进行暂时贮存；
废水进入所述pH中调池调节至pH3。
8.根据权利要求7所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，所述一级AO生化反应装置和二级AO生化反应装置均包括氨化反应、硝化反应及反硝化反应。
9.根据权利要求2所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，步骤二的所述二级破络混凝沉淀装置，包括如下步骤：
废水经过所述二级破络池，所述二级破络池内加入芬顿试剂，将废水中次、亚磷酸盐氧化成正磷酸盐,同时氧化残余络合态的COD；
废水经过所述pH粗调池，所述pH粗调池加入石灰，调节废水至pH6；
废水经过所述pH细调池，所述pH细调池内加入氢氧化钠，调节废水至pH8；
废水经过所述二级混凝沉淀池：磷在pH8时发生沉淀。
10.根据权利要求2所述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，其特征在于，步骤二中的所述三级除氟混凝沉淀装置，包括以下步骤：
废水经过所述终调池调节至pH6-pH8；
废水经过所述三级混凝沉淀，氟和铝在pH6-pH 8发生沉淀。
说明书
电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统 及方法
技术领域
本发明涉及水处理技术领域，尤其涉及电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统及方法。
背景技术
电镀是利用化学和电化学在金属或在其它材料表面上镀有各种金属的工艺。电镀工艺是现代工业链的重要环节，但电镀工序废水中含有大量酸、碱、重金属和有机物，如不妥善处理，将对水环境危害极大。电镀园区是众多电镀企业的聚集区，各企业镀种不同，排放水质种类众多，浓度不一，且各个企业为了追求更好的镀层效果，使用的电镀添加剂层出不穷，综合废水中含有难降解有机物，会造成出水的COD、氨氮、总氮、总磷和氟难以达标。所以降解大分子有机物，氧化次亚磷是废水处理的难点。
目前很多电镀废水处理很难确保达标排放，其一是物化工序去除重金属不彻底，造成对后续生化工序微生物的抑制。其二生化工序流程简单，造成生物脱氮除磷效果差。其三随着环保排放标准的严苛，生化指标COD、氨氮、总氮、总磷和氟不合格又没有保障处理工段，应变能力较差。其四生化工序鼓风曝气装置多为传统的罗茨风机，能耗高、噪音和振动大，运行成本高。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统，以缓解现有技术中存在的上述技术问题。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供的一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统，包括顺次放置的物化反应装置、排放缓冲池、一级破络混凝沉淀装置、一级AO生化反应装置、二级AO生化反应装置、二级破络混凝沉淀装置和三级除氟混凝沉淀装置；
所述一级破络混凝沉淀装置包括顺次放置的pH初调池、一级破络池、pH粗调池、pH细调池和一级混凝沉淀池；
所述一级AO生化反应装置包括顺次放置的pH回调池、水解酸化池、初沉池、一级缺氧池和一级MBBR反应池；
所述二级AO生化反应装置包括顺次放置的二级缺氧池、二级MBBR反应池、生化沉淀池、中间池和pH中调池；
所述二级破络混凝沉淀装置包括顺次放置的二级破络池、pH粗调池、pH细调池和二级混凝沉淀池；
所述三级除氟混凝沉淀装置包括顺次放置的pH终调池和三级混凝沉淀池；
还包括气水反冲滤池；
所述气水反冲滤池位于所述三级混凝沉淀池的下一工序。
本发明的第二目的在于提供一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，以缓解现有技术中存在的上述技术问题。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供的一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理方法，应用上述的电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统,包括如下步骤：
步骤一:经过物化反应装置的废水汇合后形成综合废水，并进入排放缓冲池；
步骤二:废水依次经过一级破络混凝沉淀装置、一级AO生化反应装置、二级AO生化反应装置、二级破络混凝沉淀装置和三级除氟混凝沉淀装置；
步骤三：废水经过所述气水反冲滤池过滤后达标排放。
进一步的，步骤一中，所述排放缓冲池用于贮存废水。
进一步的，步骤二的所述一级破络混凝沉淀装置中，包括如下步骤：
废水经过所述pH初调池调节至pH3；
废水经过所述一级破络池，将络合态的重金属游离出来，同时将次、亚磷酸盐氧化成正磷酸盐，
在pH粗调池中加入石灰调节废水至pH6，在pH细调池中加入氢氧化钠调节废水至pH10.5；
在一级混凝沉淀池中重金属镍和磷在pH10.5的废水中沉淀
进一步的，所述一级破络池中加入芬顿试剂，所述pH粗调池中加入石灰，所述pH细调池中加入氢氧化钠。
进一步的，步骤二中的所述一级AO生化反应装置，包括如下步骤：
废水经过所述pH回调池调节至pH8；
废水经过所述水解酸化池进行水解和酸化；
废水经过所述初沉池，沉淀水中微生物体和尚未除净的物化污泥；
废水经过所述一级缺氧池和一级MBBR反应池。
进一步的，步骤二的所述二级AO生化反应装置，包括如下步骤：
废水经过所述二级缺氧池和二级MBBR反应池；
废水进入所述生化沉淀池，沉淀水中微生物体，进行泥水分离；
废水进入所述中间池进行暂时贮存；
废水进入所述pH中调池调节至pH3。
进一步的，所述一级AO生化反应装置和二级AO生化反应装置均包括氨化反应、硝化反应及反硝化反应。
进一步的，步骤二的所述二级破络混凝沉淀装置，包括如下步骤：
废水经过所述二级破络池，所述二级破络池内加入芬顿试剂，将废水中次、亚磷酸盐氧化成正磷酸盐,同时氧化残余络合态的COD；
废水经过所述pH粗调池，所述pH粗调池加入石灰，调节废水至pH6；
废水经过所述pH细调池，所述pH细调池内加入氢氧化钠，调节废水至pH8；
废水经过所述二级混凝沉淀池：磷在pH8时发生沉淀。
进一步的，步骤二中的所述三级除氟混凝沉淀装置，包括以下步骤：
废水经过所述终调池调节至pH6-pH8；
废水经过所述三级混凝沉淀，氟和铝在pH6-pH 8发生沉淀
本发明的有益效果为：
本发明提供的一种电镀工业园综合性废水中难降解有机物高标准深度处理系统，包括顺次放置的物化反应装置、排放缓冲池、一级破络混凝沉淀装置、一级AO生化反应装置、二级AO生化反应装置、二级破络混凝沉淀装置和三级除氟混凝沉淀装置；一级破络混凝沉淀装置包括顺次放置的pH初调池、一级破络池、pH粗调池、pH细调池和一级混凝沉淀池；一级AO生化反应装置包括顺次放置的pH回调池、水解酸化池、初沉池、一级缺氧池和一级MBBR反应池；二级AO生化反应装置包括顺次放置的二级缺氧池、二级MBBR反应池、生化沉淀池、中间池和pH中调池；二级破络混凝沉淀装置包括顺次放置的二级破络池、pH粗调池、pH细调池和二级混凝沉淀池；三级除氟混凝沉淀装置包括顺次放置的pH终调池和三级混凝沉淀池；还包括气水反冲滤池；气水反冲滤池位于三级混凝沉淀池的下一工序。通过上述工序，有效去除重金属，生化工序流程明确，生物脱氮除磷效果较好，生化指标COD、氨氮、总氮、总磷和氟有保障，减少了鼓风机等，能耗低，噪声小。
发明人 （凌生奇）
