广东广州晶正鑫光电有限公司一期新建工程配套污水处理站

建设地点：位于广州东部（增城）汽车产业基地内，香山大道西侧、创业大道南侧地块。
生产规模：达产后形成13×104片/年氮化镓LED2”外延片、720×106颗/年氮化镓LED芯片及2.74×106颗/年氮化镓LED的产能。
投资总额：0.965亿美元。
建设内容：厂区总占地面积120.01亩，新建综合楼、办公楼、研发楼、生产车间、CUB厂房、甲类仓库、氢气站、氨气站、氮气站、废弃物储存间、污水处理站、消防水池等建（构）筑物，总建筑面积66425m2。
生产工艺：包括外延片制备、芯片制造、封装三大工艺。外延片制备采用MOCVD方法；芯片制造包括去油清洗、蒸镀、光刻、湿蚀刻、干蚀刻、PECVD、研磨等工序；封装含固晶、塑封和检测等工序。