单晶金刚石半导体材料制备、大尺寸晶圆高效超精密制造工艺及装备项目

项目位于济南高新区科云路897号，总占地面积23068平方米，项目主要利用石墨片、甲烷采取晶种温度梯度法和化学气相沉积法生长高质量金刚石材料。项目主要改建现有生产车间6000平方米，购置大型六面顶压机、大腔体MPCVD生长炉、激光切割机、金刚石加工磨抛一体机床等关键生产设备75台套。项目采用的片状触媒晶种温度梯度法和微波等离子体化学气相沉积法可有效提升金刚石晶体质量和产量，降低单位产品能耗，拓展金刚石半导体新应用。项目总投资11000万元，其中企业自筹6000万元，银行贷款2000万元。项目建成后同等产能下可实现年节约用电量100万千瓦时，实现年产HTHP金刚石单晶50000克拉，4英寸单晶金刚石半导体衬底2000片。年综合能源消费量为400吨标准煤，其中电力消耗量约300万千瓦时。
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