本项目拟建于中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号新微半导体现有厂区内,利用“上海临港化合物半导体4英寸及6英寸量产线建设项目”预留的二期空地进行建设,场地已与一期项目同期完成场地平整。本项目新增总建筑面积31640.18m2,建设内容包括一幢生产厂房、一处动力站和配套仓库等。本项目新建厂房、动力站、配套仓库包括废气、废水环保措施等均独立服务于二期项目,公辅设施中部分物料存放、循环冷却水系统、锅炉、应急柴油发动机、冷冻水系统等经过对一期项目现有动力站内相应设备设施新增或启动备用等手段,提高设施能力,从而依托现有并扩能以供应一、二期项目建设后全厂需求。
本项目产品为GaN功率器件,以8英寸外延片为基底,外延片直接外购。项目建成后总设计能力为5000片/月(60000片/年)。本项目拟2024年8月开工建设,计划于2026年12月竣工。
会员可见完整内容
马上解锁查看