建设地点：广东省东莞市松山湖园区总部二路2号
项目概况：广东光大第三代半导体科研制造中心1区项目，由东莞市中晶松湖半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司投资，计划投资44亿元，占地面积约202亩、建筑面积19万平方米左右。建设周期为2022年至2024年，建成后主要生产制造2至4英寸氮化镓衬底、2至6英寸GaNonGaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片，预计年产值约44亿元。现为园区内各芯片生产企业生产废水处理提供配套环保工程，现拟建1座公共生产废水处理厂集中处理园区内各企业生产废水，东莞中灏环境科技有限公司作为运营单位，预计处理规模合计为11000m3/d。其中含砷生产废水处理规模为1000m3/d，其他不含第一类污染物生产废水处理规模为10000m3/d。主要收集项目所在园区内东莞市中晶松湖半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司两家企业产生的生产废水。
该项目主要建设内容包括：酸碱、含氟、含氨废水处理系统、一般废水处理系统、研磨废水预处理系统、有机废水预处理系统、含砷废水处理系统和物化处理系统、生化处理系统、RO反渗透系统以及污泥处理系统，同时配套建设相应的公用工程及辅助工程。含砷废水经处理达标后排入附近南畲朗排渠。其他不含第一类污染物生产废水经处理后纳入东莞市南畲朗污水处理厂处理达标后排放。
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ICP备08001231号