某公司新建项目配套污水处理设施

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项目总占地面积23976平方米（折合约36亩），新增总建筑面积约15000平方米，其中生产车间面积8800平方米，仓库面积800平方米，其他以及辅助设施（综合动力站、低压配电房、空压站、纯水站、研发用房等）共计6400平方米。本项目以高纯氧化铌、氧化钽、碳酸锂为原料，经一定比例混合后使用CZ法生长单晶晶体，并使用半导体晶圆制程加工成为射频器件、传感器件、光电子器件等使用的晶圆和薄膜材料。主要用能设备（系统）包括晶体生长设备、切磨抛设备、热处理热备、无尘室系统、超纯水系统、空压系统等150台（套）左右。工艺流程：长晶→切片→磨平→表面处理→CMP→检测清洗等制程。其中表面处理及后道制程需在无尘室中进行。建成后预期年产声表级抛光晶圆及光电薄膜材料110万片（折合4inch）。
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