高功率紫光氮化镓基半导体激光器产业化项目

紫光激光器主要用于激光直写曝光、激光检测、UV胶固化等领域，国内外市场需求旺盛，其中最关键在于曝光领域。激光曝光技术可广泛应用于半导体制造、印刷和材料加工等关键领域，长期以来一直被国外企业所垄断。本项目旨在研发并量产应用于激光曝光的紫光高功率GaN基半导体激光器芯片，以满足日益增长的市场需求，并推动广西乃至全国第三代半导体产业的发展。项目通过设备、材料、结构、工艺和器件的创新，优化生产效率，提升生产良率，开发多款用于激光曝光的GaN基半导体激光器产品，满足不同应用场景的需求。并形成具有自主知识产权的量产化、低成本、高性能GaN基半导体激光器集成核心技术，完善一整套紫光GaN基半导体激光器生产基本工艺体系。打破国外技术垄断，实现高功率紫光GaN基半导体激光器芯片的国产化，满足国内外市场的需求。项目计划总投入资金10000万元，其中固定资产投资约4000万元，其他投资约6000万元。项目计划用2年时间，实现产业化目标。计划将于202601建成。
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