申请日2019.07.18
公开(公告)日2019.10.11
IPC分类号C02F9/04; C02F103/34
摘要
本发明提供了一种半导体研磨废水的处理方法，包括以下步骤：取研磨废水，调节研磨废水的pH值为8.5‑10.5;向处理后的研磨废水中加入破稳剂，使得研磨废水中破稳剂的质量浓度和悬浮物的质量浓度之比为1:9‑13，然后搅拌10‑50min，得破稳废水;向破稳废水中依次加入絮凝剂和助凝剂，使得破稳废水中絮凝剂的质量浓度与悬浮物的质量浓度之比为1:90‑120，助凝剂与悬浮物的质量浓度之比为1:9‑13，然后进行沉降分离即可。该方法可有效解决现有的处理方法存在的絮凝剂投加量大，导致投入成本增加和产生的污泥量大的问题。
权利要求书
1.一种半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取研磨废水，调节研磨废水的pH值为8.5-10.5;
(2)向经步骤(1)处理后的研磨废水中加入破稳剂，使得研磨废水中破稳剂的质量浓度和悬浮物的质量浓度之比为1:9-13，然后搅拌10-50min，得破稳废水;
(3)向步骤(2)中的破稳废水中依次加入絮凝剂和助凝剂，使得破稳废水中絮凝剂的质量浓度与悬浮物的质量浓度之比为1:90-120，助凝剂与悬浮物的质量浓度之比为1:9-13，然后进行沉降分离即可。
2.如权利要求1所述的半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，步骤(1)中所述pH调节剂为氢氧化钠或硫酸。
3.如权利要求1所述的半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，步骤(2)中破稳剂由硅酸钠、偏铝酸钠和氢氧化钙按照0.90-1.10:0.10-0.30:0.10-0.20的质量比混合制成。
4.如权利要求3所述的半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，步骤(2)中破稳剂由硅酸钠、偏铝酸钠和氢氧化钙按照0.9:0.3:0.2的质量比混合制成。
5.如权利要求1所述的半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，步骤(3)中絮凝剂为聚丙烯酰胺。
6.如权利要求1所述的半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，步骤(3)中助凝剂为质量浓度为25%的聚合氯化铝。
说明书
一种半导体研磨废水的处理方法
技术领域
本发明涉及半导体废水处理技术领域，具体涉及一种半导体研磨废水的处理方法。
背景技术
近年来我国半导体产业发展迅猛，半导体芯片行业使用大量研磨液进行芯片打磨抛光，产生各种研磨液废水，但随着民众环保意识和环保要求的提高，环境污染也日益受到人们的关注。现有的研磨废水一般需要进行处理，达到标准后才能排放，现有的处理工艺一般采用普通絮凝沉淀、电絮凝、高pH膜过滤等的处理工艺。添加絮凝剂为常用的絮凝方式，但是由于研磨液呈现强稳定性需要投加大量的絮凝剂才能起到絮凝作用，这无疑增加了企业的投入成本，而且，投加的絮凝剂量大，产生的污泥量也随着增加，使得后续污泥处理的难度也随之增大。
发明内容
针对现有技术中的上述不足，本发明提供了一种半导体研磨废水的处理方法，该方法可有效解决现有的处理方法存在的絮凝剂投加量大，导致投入成本增加和产生的污泥量大的问题。
为实现上述目的，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种半导体研磨废水的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取研磨废水，调节研磨废水的pH值为8.5-10.5;
(2)向经步骤(1)处理后的研磨废水中加入破稳剂，使得研磨废水中破稳剂的质量浓度和悬浮物的质量浓度之比为1:9-13，然后搅拌10-50min，得破稳废水;
(3)向步骤(2)中的破稳废水中依次加入絮凝剂和助凝剂，使得破稳废水中絮凝剂的质量浓度与悬浮物的质量浓度之比为1:90-120，助凝剂与悬浮物的质量浓度之比为1:9-13，然后进行沉降分离即可。
进一步地，步骤(1)中所述pH调节剂为为氢氧化钠或硫酸。
进一步地，步骤(2)中破稳剂由硅酸钠、偏铝酸钠和氢氧化钙按照0.90-1.10:0.10-0.30:0.10-0.20的质量比混合制成。
进一步地，步骤(2)中破稳剂由硅酸钠、偏铝酸钠和氢氧化钙按照0.9:0.3:0.2的质量比混合制成。
进一步地，步骤(3)中絮凝剂为聚丙烯酰胺。
进一步地，步骤(3)中助凝剂为质量浓度为25%的聚合氯化铝。综上所述，本发明所产生的有益效果为：
本发明中在添加絮凝剂、助凝剂之前先加入由硅酸钠、偏铝酸钠和氢氧化钙制成的破稳剂，首先，破稳剂形成的物质表面带有正电荷，正好与研磨废水中的悬浮颗粒表面的负电荷发生电中和，使得研磨废水中的悬浮物聚集成絮凝体，研磨废水中的电位降低，研磨废水中悬浮颗粒的稳定状态被破坏，悬浮颗粒聚集为较大的颗粒，发生沉降，由于研磨废水中悬浮颗粒的稳定状态被破坏，因此，后续只需加入很少量的絮凝剂便可实现悬浮物沉降的目的;其次，加入的破稳剂在研磨废水中形成多孔的具有吸附作用的物质，可对研磨废水中的悬浮颗粒进行吸附，进一步提高悬浮颗粒去除速度，最终实现水体净化的作用。
