北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购更正公告

一、项目基本情况
原公告的采购项目编号：GXTC-A1-24630855　　　　　　
原公告的采购项目名称：北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购公开招标公告　　　　　　
首次公告日期：2024年12月06日　　　　　　

二、更正信息
更正事项：采购公告
更正内容：

1、原招标公告中附件中“主要技术要求”：
附件：
主要技术要求
无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：
无掩膜高深比切割与检测设备1台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。
离子增强刻蚀设备1台：通过化学反应或物理方法去除硅基材料，以形成深沟槽或高深宽比结构的工艺设备。其基于化学反应刻蚀或高能离子束刻蚀，通过化学反应生成挥发性物质，从而去除硅基材料。而在高能离子束刻蚀中，则利用离子束对硅片进行轰击，使硅片表面的原子被剥离，形成所需的结构。
注：其他技术要求详见招标文件
现更正为：
附件：
主要技术要求
无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统主要包括设备如下：
无掩膜高深比切割与检测设备1台：该设备能够实现高深宽比的加工，根据需要快速调整加工图案，适应不同的加工需求。此外该设备无需掩膜版，因此减少了掩膜版的制作和更换成本，实现小批量、多品种的快速加工。