北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购更正公告

一、项目基本情况
原公告的采购项目编号：GXTC-A1-24630855　　　　　　
原公告的采购项目名称：北京理工大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购　　　　　　
首次公告日期：2024年12月06日　　　　　　

二、更正信息
更正事项：采购文件
更正内容：

1、原招标文件“第一章 投标邀请”附件中“主要技术要求”：
附件：
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。
2. 平均刻蚀功率≥100w。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直线度：不高于± 0.4μm。
9. #测量行程≥200 mm。
10. 输出频率包括0~40Mhz。
11. #输出通道≥2。
12. 上升/下降时间≤9 ns。
13. 测试波长范围包括400~1100nm。
14. 相位分辨率≤2 nm。
15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
（二）离子增强刻蚀设备
1.晶圆大小：四英寸。
2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。 
5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。 
9.#载片台直径不小于160mm。
10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
15.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
17.★最大刻蚀深度大于300um。
现更正为：
附件：
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w，平均刻蚀功率≥100w。
2. 精密测量模块定位精度不高于± 0.2μm，直线度不高于± 0.4μm。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. #测量行程≥200 mm。
8. #输出通道≥2，输出频率包括0~40Mhz。
9. 上升/下降时间≤9 ns。
10. 测试波长范围包括400~1100nm，相位分辨率≤2 nm。
11. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
12. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
13. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
14. 相位与强度采样≥182×136。
15. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。
16. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。
17. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。
 
（二）离子增强刻蚀设备
隔离槽刻蚀机台模块：
1.晶圆大小：四英寸。
2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。 
5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。 
9.#载片台直径不小于160mm。
10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
15. #气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
17.★最大刻蚀深度大于300um。
不大于1000mm。
离子增强刻蚀监测模块：
26. #独立DAC电压输出通道≥12个。
27.输出电压精度≥24位。
28.动态存储≥120dB。
29.积分时间常数范围包括:1us-500s。
30. #极限压强≤8×10-5Pa，
31.水氧指标：＜1ppm