公布日：2023.06.30
申请日：2021.12.23
分类号：C02F9/00(2023.01)I;C02F101/30(2006.01)N
摘要
本发明涉及一种单晶硅生产废水的深度处理方法，金刚线切割液经隔膜压滤、气浮后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池，综合调节池废水经水解酸化、好氧活性污泥、臭氧氧化、MBR处理后达《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918‑2002）一级A标准排放。本发明处理方法可充分回收硅粉，分段提高废水的可生化性，经本方法处理后的单晶硅生产废水可满足更高标准的排放要求，是一种单晶硅生产废水的深度处理方法。
权利要求书
1.一种单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：所述方法包括如下流程：流程（1）：金刚线切割液经隔膜压滤、气浮等处理工艺后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮等处理工艺后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池；流程（2）：综合调节池废水进入水解酸化池；流程（3）：水解酸化池出水进入好氧活性污泥池；流程（4）：好氧活性污泥池出水进入臭氧氧化池；流程（5）：臭氧氧化池出水进入MBR池，MBR池出水达标排放。
2.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：调节池废水COD（化学需氧量）为600-700mg/L，BOD（55日生化需氧量）/COD为0.12-0.19，SS（悬浮固体浓度）为10-50mg/L。
3.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：水解酸化池出水COD为400-550mg/L，BOD5/COD为0.32-0.37。
4.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：好氧活性污泥池出水COD为90-150mg/L，BOD5/COD为0.18-0.25。
5.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：臭氧氧化池出水COD为80-105mg/L，BOD5/COD为0.35-0.45。
6.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：臭氧氧化池水力停留时间为35-55分钟。
7.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：MBR池出水COD低于50mg/L。
8.根据权利要求1所述的单晶硅生产废水的深度处理方法，其特征在于：MBR池出水采用内置式膜运行方式。
发明内容
考虑到好氧处理后废水的可生化性已经很低，因此采用臭氧氧化提高废水的可生化性，然后采用MBR工艺深度处理，最终实现达标排放，同时保证废水处理系统的稳定性和经济性。本发明旨为解决上述技术问题而提供一种单晶硅生产废水的深度处理方法。
一种单晶硅生产废水的深度处理方法包括如下流程：金刚线切割液经隔膜压滤、气浮等处理工艺后进入综合调节池，清洗机溢流槽和插片机废水经高效沉淀、气浮等处理工艺后进入综合调节池，其它生产废水经气浮后进入综合调节池；综合调节池废水进入水解酸化池；水解酸化池出水进入好氧活性污泥池；好氧活性污泥池出水进入臭氧氧化池；臭氧氧化池出水进入MBR池，MBR池出水达标排放。
所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过预处理后综合调节池中废水COD（化学需氧量）为600-700mg/L，BOD5（5日生化需氧量）/COD为0.12-0.19，SS（悬浮固体浓度）为10-50mg/L。
所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过水解酸化处理后水解酸化池出水COD为400-550mg/L，BOD5/COD为0.32-0.37。
所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过好氧活性污泥处理后，好氧活性污泥池出水COD为90-150mg/L，BOD5/COD为0.18-0.25。
所述单晶硅生产废水的深度处理方法，经过臭氧氧化后，臭氧氧化池出水COD为80-105mg/L，BOD5/COD为0.35-0.45。
所述单晶硅生产废水的深度处理方法，臭氧氧化池水力停留时间为35-55分钟。
所述的晶硅生产废水的深度处理方法，经过内置式MBR处理后，MBR池出水COD低于50mg/L。
综上，本发明的有益效果是：经过预处理之后，在两次改善单晶硅生产废水的可生化性后，废水可稳定达到《城镇污水处理厂污染物排放标准》（GB18918-2002）一级A标准排放，该处理方法改造成本低，运行成本低，耐冲击负荷能力强，产水水质佳且能稳定达标。
（发明人：朱恩灿;张俊;邢斌;杨丽）
