申请日2014.11.10
公开(公告)日2015.03.25
IPC分类号C23C14/35; C02F103/02; C02F9/04; C02F1/00
摘要
本发明公开了一种溅射源水处理装置和水处理方法，其中，所述装置包括依次设置的进水管(1)、溅射源组件(2)和出水管(3)，其中，所述溅射源组件(2)中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体(4)。本发明通过将溅射源组件中的磁体表面附着有陶瓷薄膜，从而使得在实际使用过程中，当水通过溅射源组件时，使得溅射源组件中最易于被腐蚀的磁体得到保护，进而使得该溅射源组件的被腐蚀程度大大降低，从而使得溅射装置得到有效的保护，大大增加其使用寿命。
权利要求书
1.一种溅射源水处理装置，其特征在于，所述装置包括依次设置的进 水管(1)、溅射源组件(2)和出水管(3)，其中，所述溅射源组件(2)中 还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体(4)。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述进水管(1)和所述 溅射源组件(2)之间还设置有水处理设备，且所述水处理设备中包括过滤 单元(5)，所述过滤单元(5)的过滤粒径不大于25μm。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述水处理装置中还包 括连接于所述过滤单元(5)的离子交换单元(6)，且所述离子交换单元(6) 中填充有离子交换树脂。
4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述水处理装置中还包 括连接于所述过滤单元(5)的水清洁单元(7)，且所述水清洁单元(7)中 至少包括水清洁剂。
5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述水清洁剂为溶氧剂 和/或腐蚀抑制剂。
6.一种水处理方法，其特征在于，所述方法使用权利要求5所述的装 置，所述方法包括将冷却水依次流经进水管(1)、磁体(4)上附着有陶瓷 薄膜的溅射源组件(2)和出水管(3)。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括将冷却 水流经过滤单元(5)后再流经溅射源组件(2)，以将冷却水中粒径大于25μm 的杂质滤除。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括将冷却 水流经离子交换单元(6)，所述离子交换单元(6)连接于所述过滤单元(5) 以去除冷却水中的离子。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括将冷却 水流经含有水清洁剂的水清洁单元(7)。
说明书
溅射源水处理装置和水处理方法
技术领域
本发明涉及溅射源中的冷却水的处理领域，具体地，涉及一种溅射源水 处理装置和水处理方法。
背景技术
在磁控溅射装置中，都需要采用冷却水，且该冷却水会流入该磁控溅射 装置中的溅射源组件中，但是溅射源组件在使用过程中，往往会因其内部结 构的材料间彼此电势序列不同，因而产生较多的置换等化学反应，尤其是溅 射源组件中的磁体，极易与其发生反应。
因此，提供一种对溅射源组件腐蚀较小，延长磁体使用寿命的溅射源水 处理装置和水处理方法是本发明亟需解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术，本发明的目的在于克服现有技术中磁控溅射装置中 的水对溅射源组件在使用过程中腐蚀较大的问题，从而提供一种对溅射源组 件腐蚀较小，延长磁体使用寿命的溅射源水处理装置和水处理方法。
为了实现上述目的，本发明提供了一种溅射源水处理装置，其中，所述 装置包括依次设置的进水管、溅射源组件和出水管，其中，所述溅射源组件 中还包括有至少一个表面附着有陶瓷薄膜的磁体。
优选地，所述进水管和所述溅射源组件之间还设置有水处理设备，且所 述水处理设备中包括过滤单元，所述过滤单元的过滤粒径不大于25μm。
优选地，所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元的离子交换单 元，且所述离子交换单元中填充有离子交换树脂。
优选地，所述水处理装置中还包括连接于所述过滤单元的水清洁单元， 且所述水清洁单元中至少包括水清洁剂。
优选地，所述水清洁剂为溶氧剂和/或腐蚀抑制剂。
本发明还提供了一种水处理方法，其中，所述方法使用上述所述的装置， 所述方法包括将冷却水依次流经进水管、磁体上附着有陶瓷薄膜的溅射源组 件和出水管。
优选地，所述方法还包括将冷却水流经过滤单元后再流经溅射源组件， 以将冷却水中粒径大于25μm的杂质滤除。
优选地，所述方法还包括将冷却水流经离子交换单元，所述离子交换单 元连接于所述过滤单元以去除冷却水中的离子。
优选地，所述方法还包括将冷却水流经含有水清洁剂的水清洁单元。
根据上述技术方案，本发明通过将溅射源组件中的磁体表面附着有陶瓷 薄膜，从而使得在实际使用过程中，当水通过溅射源组件时，使得溅射源组 件中最易于被腐蚀的磁体得到保护，进而使得该溅射源组件的被腐蚀程度大 大降低，从而使得溅射装置得到有效的保护，大大增加其使用寿命。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
