申请日20200707
公开(公告)日20201002
IPC分类号C02F9/04; C02F101/14
摘要
本发明是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池;含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。本发明的优点：采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子的去除率可达90%以上，运行效果良好，相比石灰沉淀法，氯化钙易溶于水，产生的污泥量较少，且不存在石灰残渣的处置问题，运输、保管和存放都较方便。可满足半导体企业对厂区环境的高要求，更为清洁、有效。采用二级除氟工艺，可确保最终排放废水氟的浓度达到10mg/L以下。
权利要求书
1.半导体含氟废水处理系统，其特征包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池;含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。
2.如权利要求1所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的一级反应池连接第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱，一级混凝池连接第二CaCl2加药箱，一级絮凝池连接第一PAM加药箱，二级反应池连接第二NaOH加药箱、第二H2SO4加药箱和第一PAC加药箱，二级絮凝池连接第二PAM加药箱。
3.如权利要求2所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。
4.如权利要求3所述的半导体含氟废水处理系统，其特征是所述的放流池设有在线氟离子检测仪。
5.如权利要求1-4任一项所述的半导体含氟废水处理系统的处理工艺，其特征是包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池;
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，在反应池内投加质量分数40%400mg/L的NaOH、质量分数30%200mg/L的H2SO调整pH值，并投质量分数20%8262.4mg/L的CaCl2作为除氟药剂，反应时间20min;
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续投加质量分数20%8262.4mg/L的CaCl2，反应时间20min;
4)一级混凝池出水进入一级絮凝池中，投加质量分数0.1%2.6g/L的PAM作为絮凝剂，待其反应20min，使絮体长大、更容易沉淀;
5)一级絮凝池中出水进入一级沉淀池中，进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥则排入污泥池中待进一步脱水处理;
6)经一级除氟反应后，出水进入第二级除氟反应系统，首先进入二级反应池反应，投加质量分数40%163.3mg/L的NaOH、质量分数30%200mg/L的H2SO4调整pH值，并投加质量分数20%300mg/L的PAC进行反应，反应时间20min;
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，投加质量分数0.1%2.6g/L的絮凝剂PAM,反应时间20min;
8)最后二级絮凝池出水进入二级沉淀池中进行泥水分离后，清水进入放流池中，放流池废水为达标废水，最后进入最终清水池和计量渠，排入市政污水管网。
说明书
一种半导体含氟废水处理系统及工艺
技术领域
本发明涉及的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，属于水处理设备技术领域。
背景技术
随着半导体工艺技术的迅速发展和生产量的增加，半导体厂排出的含氟废水量急剧地增加。为了防止半导体含氟废水直接排放对环境生态的污染和破坏，必须设法降低废水中的含氟浓度。
半导体含氟废水主要污染指标为pH、F和SS。现有技术的半导体含氟废水处理系统有的采用石灰沉淀法，其处理成本较低，但是处理效果较差，产生的污泥量较多，还涉及石灰残渣的处置问题，且无法满足半导体企业对厂区环境的高要求。
发明内容
本发明提出的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，通过设置酸碱调整、除氟、去除SS等流程，实现有效改善处理效果，满足半导体企业对厂区环境的高要求。
本发明的技术解决方案：半导体含氟废水处理系统，其结构包括通过管道依次连接的含氟废水集水池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池、一级沉淀池、二级反应池、二级絮凝池、二级沉淀池和放流池;含氟废水集水池和含氟废水调节池之间管道、含氟废水调节池和一级反应池之间管道都分别设有水泵。
优选的，所述的一级反应池连接第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱，一级混凝池连接第二CaCl2加药箱，一级絮凝池连接第一PAM加药箱，二级反应池连接第二NaOH加药箱、第二H2SO4加药箱和第一PAC加药箱，二级絮凝池连接第二PAM加药箱。
优选的，所述的含氟废水调节池内安装搅拌装置。
优选的，所述的放流池设有在线氟离子检测仪。
半导体含氟废水处理系统的处理工艺，包括以下工艺步骤：
1)半导体含氟废水经管道收集后泵入含氟废水调节池;
2)含氟废水调节池中废水经提升泵进入一级除氟反应系统处理，在一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，在反应池内投加质量分数40%400mg/L的NaOH、质量分数30%200mg/L的H2SO调整pH值，并投质量分数20%8262.4mg/L的CaCl2作为除氟药剂，反应时间20min;
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续投加质量分数20%8262.4mg/L的CaCl2，反应时间20min;
4)一级混凝池出水进入一级絮凝池中，投加质量分数0.1%2.6g/L的PAM作为絮凝剂，待其反应20min，使絮体长大、更容易沉淀;
5)一级絮凝池中出水进入一级沉淀池中，进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥则排入污泥池中待进一步脱水处理;
6)经一级除氟反应后，出水进入第二级除氟反应系统，首先进入二级反应池反应，投加质量分数40%163.3mg/L的NaOH、质量分数30%200mg/L的H2SO4调整pH值，并投加质量分数20%300mg/L的PAC进行反应，反应时间20min;
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，投加质量分数0.1%2.6g/L的絮凝剂PAM,反应时间20min;
8)最后二级絮凝池出水进入二级沉淀池中进行泥水分离后，清水进入放流池中，放流池废水为达标废水，最后进入最终清水池和计量渠，排入市政污水管网。
本发明的优点：结构和处理工艺设计合理，采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子的去除率可达90%以上，运行效果良好，相比石灰沉淀法，氯化钙易溶于水，产生的污泥量较少，且不存在石灰残渣的处置问题，运输、保管和存放都较方便。可满足半导体企业对厂区环境的高要求，更为清洁、有效。采用二级除氟工艺，可确保最终排放废水氟的浓度达到10mg/L以下。（发明人安建国;张旭;孔金明;杜莹）
