申请日2016.11.16
公开(公告)日2017.06.06
IPC分类号C02F9/14
摘要
本实用新型涉及废水处理技术领域，具体涉及一种半导体生产中废水处理装置，包括废水收集池,废水池通过第一水泵连接H2O2处理池，H2O2处理池内设有MnO2，H2O2处理池通过第二水泵连接硝化槽，硝化槽中有硝化细菌，硝化槽内设有PH浓度检测仪，硝化槽上还设有NaOH溶液进液管，进液管上设有电磁阀，所述硝化槽通过第三水泵连接再曝气槽，再曝气槽内设有好氧微生物。本实用新型对于H2O2含量高的废水先通过MnO2来降低H2O2含量，使得COD值降低，然后通过硝化细菌来除碳与脱氮，再通过好氧微生物进行，这样使得废水出水COD值达标。
权利要求书
1.一种半导体生产中废水处理装置，包括废水收集池,其特征在于：所述废水池通过第一水泵连接H2O2处理池，H2O2处理池内设有MnO2，H2O2处理池通过第二水泵连接硝化槽，硝化槽中有硝化细菌，硝化槽内设有PH浓度检测仪，硝化槽上还设有NaOH溶液进液管，进液管上设有电磁阀，所述硝化槽通过第三水泵连接再曝气槽，再曝气槽内设有好氧微生物，再曝气槽内设有好氧微生物活性检测器和好氧微生物补充口，所述再曝气槽内还设有废水取样检测器，电磁阀、PH浓度检测仪、好氧微生物活性检测器、好氧微生物补充口连接控制器。
2.根据权利要求1所述的半导体生产中废水处理装置，其特征在于，所述H2O2处理池上方设有吸风机。
3.根据权利要求1所述的半导体生产中废水处理装置，其特征在于，所述再曝气槽还通过第四水泵连接沉淀槽，沉淀槽口部设有CaCl2投料口。
4.根据权利要求1所述的半导体生产中废水处理装置，其特征在于，所述H2O2处理池和沉淀槽内还设有搅拌装置。
5.根据权利要求4所述的半导体生产中废水处理装置，其特征在于，所述搅拌装置包括搅拌杆以及与搅拌杆连接的搅拌部。
6.根据权利要求4所述的半导体生产中废水处理装置，其特征在于，所述搅拌装置由耐腐蚀材料制成。
说明书
半导体生产中废水处理装置
技术领域：
本实用新型涉及废水处理技术领域，具体涉及一种半导体生产中废水处理装置。
背景技术：
半导体、光伏产业近年来发展十分迅速，但是这个行业也是高耗能、高污染行业，生产中会产生大量的工业废水，其中有大量的半导体废水中含有较高浓度的H2O2以及一定量的氨、氮，使得废水中COD(是以化学方法测量水样中需要被氧化的还原性物质的量)值增大，所以必须对这部分废水进行处理以降低COD。
实用新型内容：
本实用新型所要解决的技术问题在于克服现有的技术缺陷，提供一种半导体生产中废水处理装置，对于H2O2含量高的废水先通过MnO2来降低H2O2含量，使得COD值降低，然后通过硝化细菌来除碳与脱氮，再通过好氧微生物进行，这样使得废水出水COD值达标，NaOH溶液用于调节硝化细菌的生存环境。
本实用新型所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：
一种半导体生产中废水处理装置，包括废水收集池,所述废水池通过第一水泵连接H2O2处理池，H2O2处理池内设有MnO2，H2O2处理池通过第二水泵连接硝化槽，硝化槽中有硝化细菌，硝化槽内设有PH浓度检测仪，硝化槽上还设有NaOH溶液进液管，进液管上设有电磁阀，所述硝化槽通过第三水泵连接再曝气槽，再曝气槽内设有好氧微生物，再曝气槽内设有好氧微生物活性检测器和好氧微生物补充口，所述再曝气槽内还设有废水取样检测器，电磁阀、PH浓度检测仪、好氧微生物活性检测器、好氧微生物补充口连接控制器。
所述H2O2处理池上方设有吸风机。
所述再曝气槽还通过第四水泵连接沉淀槽，沉淀槽口部设有CaCl2投料口。
所述H2O2处理池和沉淀槽内还设有搅拌装置。
所述搅拌装置包括搅拌杆以及与搅拌杆连接的搅拌部。
所述搅拌装置由耐腐蚀材料制成。
本实用新型的有益效果为：对于H2O2含量高的废水先通过MnO2来降低H2O2含量，使得COD值降低，然后通过硝化细菌来除碳与脱氮，再通过好氧微生物进行，这样使得废水出水COD值达标，NaOH溶液用于调节硝化细菌的生存环境。
