申请日2016.02.16
公开(公告)日2016.09.07
IPC分类号C02F1/78
摘要
一种晶片磨削废水COD臭氧降解装置，包括处理槽、臭氧发生器和臭氧输入管，臭氧输入管一端与臭氧发生器连接，一端伸入处理槽底部，臭氧输入管在处理槽底部的部分连接有微孔曝气盘，处理槽的上部设置有污水进管和尾气排放管，处理槽的底部设置有污水排放管。经沉淀及过滤后的晶片磨削废水进入处理槽后，再使臭氧发生器产生的臭氧进入处理槽中,经微孔曝气盘分散气泡后进入废水中,与废水中的有机物接触，使其发生氧化降解反应,生成二氧化碳和水，降低废水中COD含量。该装置以空气为气源，经臭氧发生器产生臭氧，分散于待处理废水中，与废水中有机物接触后使其发生氧化降解反应，能够有效降解废水中有机物，降低COD含量，对环境无污染。
摘要附图
权利要求书
1.一种晶片磨削废水COD臭氧降解装置，包括处理槽、臭氧发生器和臭氧输入管，其特征是，臭氧输入管一端与臭氧发生器连接，一端伸入处理槽底部，臭氧输入管在处理槽底部的部分连接有微孔曝气盘，处理槽的上部设置有污水进管和尾气排放管，处理槽的底部设置有污水排放管。
2.根据权利要求1所述的晶片磨削废水COD臭氧降解装置，其特征是，所述臭氧输入管上设置有臭氧控制阀。
3.根据权利要求1所述的晶片磨削废水COD臭氧降解装置，其特征是，所述污水排放管上设置有排放阀。
说明书
一种晶片磨削废水COD臭氧降解装置
技术领域
本实用新型涉及一种采用臭氧氧化法对半导体器件行业的晶片磨削废水进行有机物COD(化学需氧量)降解的装置，属于工业废水处理的技术领域。
背景技术
众所周知，半导体器件行业已成为中国环境污染的重要行业之一，尤其是对水环境的污染，已成为工业污染防治的重点。
目前，国内大部分工厂处理半导体晶片磨削废水采用一级沉淀后与其他清洗废水混合再进行二级生化处理的工艺。但是生化处理要求污水中酸碱度及有机物含量不能波动太大，否则影响菌群繁殖，影响处理效果。
中国专利文献CN101519251公开的《一种上流式多相氧化塔处理难生化降解废水的方法》，是将芬顿试剂和待处理的废水一起用泵送入上流式多相氧化塔内进行反应,其中芬顿试剂投加过程中H2O2与Fe2+的摩尔比为5～20:1,双氧水投加量与待处理水中COD(化学需氧量)质量比为2～3∶1,反应时间0.5～1hr。经氧化塔处理后的废水依次进入中和池、脱气池和混凝沉淀池:在中和池调节pH值至中性;在脱气池鼓风脱气10～20min,脱去反应中产生的微小氧气气泡,在混凝沉淀池的废水加聚丙烯酰胺进行混凝沉淀,上清液达标排放。该方法操作简单,无复杂设备、对污染物的去除效率较高。但是该方法的缺点是芬顿试剂调配要根据实际水质情况进行配比，比例难以掌握，且在配比时产生的络合物有毒性。
CN202785779U公开的《化学催化降解COD系统降解废水的方法》中的化学催化降解COD系统，包括反应槽和沉降槽，反应槽与所述沉降槽之间通过溢流口连通，反应槽上部与药剂管、污水管连通，所述反应槽内部设有搅拌器，沉降槽中上部与净水管连通，底部与污泥管连通。此方法存在投资大费用高的不利因素。
发明内容
针对现有有机废水处理装置存在的不足，根据半导体晶片磨削废水中有机表面活性剂、有机添加剂以及COD含量较高的特性，本实用新型提供一种能够有效降解废水中有机物、降低COD含量、对环境无污染的晶片磨削废水COD臭氧降解装置。
本实用新型的晶片磨削废水COD臭氧降解装置，采用以下技术方案：
该装置，包括处理槽、臭氧发生器和臭氧输入管，臭氧输入管一端与臭氧发生器连接，一端伸入处理槽底部，臭氧输入管在处理槽底部的部分连接有微孔曝气盘，处理槽的上部设置有污水进管和尾气排放管，处理槽的底部设置有污水排放管。
所述臭氧输入管上设置有臭氧控制阀。
所述污水排放管上设置有排放阀。
经沉淀及过滤后的晶片磨削废水进入处理槽后，再使臭氧发生器产生的臭氧进入处理槽中,经微孔曝气盘分散气泡后进入废水中,与废水中的有机物接触，使其发生氧化降解反应,生成二氧化碳和水，降低废水中COD含量。
本实用新型以空气为气源，经臭氧发生器产生臭氧，分散于待处理废水中，与废水中有机物接触后使其发生氧化降解反应，能够有效降解废水中有机物，降低COD含量，对环境无污染。
